Электрохимическое осаждение слоя меди для создания тонких пленок Cu2NiSn(S,Se)4

Феоктистова Лада Станиславовна

Авторы Феоктистова Л.С.

Статус Студент 3 курса специалитета

Организация Факультет фундаментальной физико-химической инженерии, МГУ им. Ломоносова, г. Москва

2 комментариев

Межтекстовые Отзывы

Посмотреть все комментарии

Леонид Пуголовкин

3 лет назад

Здравствуйте!

Осаждение на указанные металлы по сути оказывается осаждением на поверхность оксидной пленки. Это будет влиять на однородность, сплошность покрытия и в итоге на его адгезию. Проводите ли вы какую-то стандартизацию (подготовку) поверхности?
Не понятны критерии выбора потенциалов осаждения на основе потенциодинамических кривых. Кажется, более рационально следить за величинами стационарных токов, поскольку они имеют правод отличаться на различных подложках

Модестов Александр Давидович

3 лет назад

Почему при одном потенциале, например -400 мВ, токи осаждения меди на разных металлах различаются на порядки величины?
Казалось бы, удобнее проводить осаждение меди на подложки при постоянном токе. Почему осаждение проводили в потенциостатических условиях?